DRAM现货溢价172%引爆超级周期，2026年存储涨价潮已至

如果你正在寻找半导体周期的确切信号，高盛亚太团队刚刚发布的2026年1月市场情绪指标不仅闪烁着红色的“买入”信号，更预示一场价格风暴正在酝酿。根据追风交易台援引的高盛渠道调查，当前DRAM合约价格正面临前所未有的上涨压力。核心逻辑清晰：现货价格已严重偏离合约价，形成巨大剪刀差——其中DDR4现货溢价高达172%，这一水平在历史上极为罕见，也意味着合约价必须大幅补涨才能实现市场平衡。这种定价脱节现象，通常预示着下游采购方在谈判中已无议价能力，只能被动接受更高报价。

现货市场狂飙：DDR4溢价率高达172%

自2026年初以来，DDR5现货价格已反弹76%，而DDR4则延续自2024年9月以来的持续上涨趋势。这一结构性失衡并非偶然，而是供需错配的直接体现。当现货市场远高于合约价时，唯一的收敛路径就是合约价格上调。市场机制往往由现货引领，合约随后跟进。如此巨大的价差，意味着产业链上下游的价格传导链条正在快速重构。

AI服务器需求：连续13个月增速超50%

硬件需求并未因短期波动而放缓，反而因机架级AI服务器出货量攀升而进一步加剧。高盛追踪的中国台湾服务器ODM厂商（包括英业达、广达、纬颖、纬创）数据显示，2024年12月营收同比飙升94%，这是连续第13个月保持50%以上的同比高增长。作为关键前置指标，信骅科技（Aspeed）在2024年12月高基数基础上（同比增长131%），2025年12月仍实现18%的同比增长，印证了终端需求的韧性。

厂商营收炸裂：南亚科营收暴涨445%

如果说服务器代表高端需求，那么二线厂商的表现则揭示了涨价潮的广泛渗透。中国台湾DRAM供应商南亚科技12月营收同比暴增445%，创下连续五个月三位数增长纪录，且增速逐月加快——从8月的+141%到12月的+445%。这一增长主要由DDR4价格强势驱动。与此同时，韩国DRAM出口额在12月同比上升72%，再次验证了全球供应紧张推高价格的宏观趋势。

渠道反馈：客户已被迫接受更大幅度涨价

真正的市场动向来自一线渠道。高盛在与投资者交流中获取的反馈显示，对2026年第一季度存储价格涨幅的预期在过去几周持续升温。移动端特定客户已开始接受新报价，且涨幅明显高于2025年四季度协议水平。这表明，市场对价格上行的接受度正在提升。随着更多客户跟进，预计2026年一季度存储芯片整体提价将成定局。目前华尔街对盈利和价格的预期可能仍偏低，存在显著的上行修正空间。

HBM与估值：三星与SK海力士目标价展望

尽管市场对HBM定价存在分歧，但出货量增长势头强劲。高盛预计，2025年HBM出货量增速将比市场共识高出9个百分点，尽管其对价格预期较共识低17个百分点，主因是预期HBM3E 12-Hi型号定价将有显著下调。基于此，高盛维持对韩国两大巨头的“买入”评级：三星电子12个月目标价180,000韩元，基于分部估值法（SOTP），即便面临供需恶化或OLED份额流失等风险，其1Q26 DRAM混合平均售价仍有望环比增长约50%；SK海力士目标价700,000韩元，给予其相对于三星30%的AI溢价，市净率设定为2.8倍，参考2009-2010年周期峰值水平。 从现货溢价的极端水平到ODM营收的持续井喷，所有数据指向一个结论：存储行业的“超级周期”正在加速。对于投资者而言，当下真正的问题不是涨价是否会发生，而是这波浪潮将把相关企业的股价推向何种高度。